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      臺積電10nm制程傳年底量產,7nm制程明年4月試產

      信息來源 : 網絡 | 發布時間 : 2016-09-27 09:42 | 瀏覽次數 : 991

      在GlobalFoundries宣布將在2017年下半年間試產7nm FinFET制程技術之后,臺積電也透露旗下7nm制程技術將在2017年4月期間進入試產。、

      相關消息指出,臺積電內部著手將旗下制程技術發展藍圖做調整,預計將在今年底前讓10nm制程技術進入量產階段,并且最快在2017年4月期間讓7nm制程技術進入試產,預期將借由更小制程讓處理器產品能以更低電壓驅動相同運算效能,或是以相同電壓驅動發揮更高效能。

      而若臺積電順利在年底讓10nm制程技術進入量產,預期將可應用在蘋果明年預計推出的A10X處理器,另外也預期可協助生產聯發科Helio X30處理器,以及包含Nvidia、Qualcomm等晶片廠商旗下產品。在制程技術精簡情況下,預期10nm制程技術制作處理器占用面積將比16nm制程縮減50%,但在相同電壓下的運算效能將提升50%,整體耗電量則將降低40%。

      在競爭對手發展部分,GlobalFoundries稍早已經宣布將在2017年下半年間試產7nm FinFET制程技術,預期將可協助AMD將旗下APU產品跳過10nm制程,直接轉入7nm制程發展。至于Intel方面則因10nm制程技術延宕,預計在2017年下半年才會正式推出10nm制程技術產品,亦即代號Cannon Lake的第八代Core i系列處理器,而7nm制程技術則可能必須延后到2022年才會有正式量產產品問世。


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